SJ 50033.155-2002 半导体分立器件 3DG252型硅微波线性晶体管详细规范
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ID： |
A93794E5A2DD40419FC6D5E5044C76B7 |
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文件大小(MB)： |
0.21 |
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9 |
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日期： |
2009-6-11 |
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瓜酬,昌,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5951 SJ 50033/155--2002,半导 体 分 立 器 件,3DG252型硅微波线性晶体管,详 细 规 范,Semiconductor discrete devices,Detailsp ecificationf orty pe3 DG252s iliconm icrowaveli nearitytr ansistor,2002-10-30发布2003-03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导 体 分 立 器 件,3DG252型硅微波线性晶体管详细规范,SJ 50033/155---2002,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type 3DG252 silicon microwave linearity transistor,范围,1.1 主题内容,本规 范 规 定了3DG252型硅微波线性品体管(以下简称器件}的详细要求.,1.2 适用范围,本规 范 适 用于器件的研制、吐ero,1.3 分类,本规 范 根 据器件质夏等级进f-Y5}}o,1.3.1 器件的等级,按G JB 3 3A --9了《半导体气立疑件忿规艳T.Ju3 的规定，提供的质蛋聋凳!暮级为汁军级、特军级和,超特军级三级，3}`M用.字母工贬影J乍汗介JCT表示,引用文件,GBIT 4587烤94,GB/T。 758，澹‘,一‘半导} 立器 E油 集 f 电摊 卜第 7部 分 :双 极 型 晶U =林 ,.,GJB 33A一97,I,GJB 128A一卯,伴导体分AL立nuaci件外形尺,44 分立器件总规范,it-,试验冻法,要求,详 细要求,各项要求应符合GJB 3熟和本规范的规定,设计 、结构和外形尺寸-,器件的设计、结构和外形} r,Ily一符 赞拍3争峨只本规范昨规粼,1 引出端材料和镀涂层,发射极、墓极和集电极引出端材料为可伐苔釜广砰弓T出端表面镀金,.2 器件结构,采用硅平面NPNA极型外延结构,.3 外形尺寸,外形 尺寸按GB/T7 581中E4-02A型的规定，见图la,中华人民共和国信息产业部2042-1x-30发布2003-03-01实施,SJ 500331155-2002,t,符号,尺寸,最小最大,A 1.3 1,6,bx 1.1 2.0,by 0.6 1.0,亡0.08 }0.12,四2.7 3.3,Hx 13.0,MY 13.0,bx,Nx,引出端极性:,1, 3发射极,2基极,4集电极,图1 外形尺寸图,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,最大 额 定 值见下表,表1 最大额定值,\资I}rt pto tI,mW,TA-25 C,外B[],V,YEBO,V,]C,mA,TStg,℃,了i,℃,3DG252 400 25 3 100 -65---200 200,3.3.2 主要电特性,主要电特性见下表(瓜=25'C),SJ 50033/155- 2002,表2 主要电特性,火hF,E11),VCFW,V,Icaai,vA,GIdB,dB,尸IdB,dBm,Cebo,pF,凡E= 5 V,Ic=10 mA,Ic=50 mA,几=10 mA,YcB=15 V,IE= O,VC E=12V,Ic=35 mA,儿二1.7 GHx,VcB=12 V,户1 MFiz,最小值最大值最大值最大值最小值最小值最大值,3DG252 10 80 0.3 0.1 10 21 1.3,3.4,3.5,1)直流法测试.,测试要求,测试应符合GJB 33A及本规范的规蹭,标 志,器件上应有如下标志:,承制 方标 志,4 质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样 和 检 验应符合GJB,熟和.本规范表4扮、表5、kh-4多}k . 4vr S 表 7的 规 定 ,4.2 鉴定检验,鉴定 检 验 应符合GIB3 13A 本规范的规健又,4.3 筛选(仅对JT*R,1G级),筛选 应 按 GJB}D A的耙规定，一其体筛选要求按舜逸茬3'诊行。其测试应按本规范表4-'的规定进,行，超过本规范表4极限.值的器件应剔除。_,4.4质量一致性检验,质量 一 致 性检验应按由B.3lAf4本FUl.M1 的规定进行,4.4. 1 A组检验,A组 检 验 应按GJB3 3A和本规范表4的规定进行,4.4. 2 B组检验,B组 检 验 应按GJB3 3A及本规范表5的规定进行笔节,4.4. 3 C组检验,C组 检 验 应按GJB3 3A及本规范表6的规定进行,5.l 50033/15 --2002,表3 筛选要求t},筛 选,见GJB 33A表2,试 验 方 法,GJB 128A方法号,条 件,JT和JCT级,1.内部目检2072 100倍显微镜,2.高温寿命1432 200C，48h,3.温度循环1051 试验条件C,循环20次,4.恒定加速度2006 Yt方向，196 000 mls2，保持1 min要求不适用,7.密封,a. 细检漏,b. 粗 检 漏,1471,条件H1尸1=5 x 1 0"3Pa cm31s,P =517k Pa,t -4h,条件C, P=517 kPa, t=2 h,9.中间测试电参数ICHO:和hpE,10.高温反偏1039 八二150'C, VcB=20 V, t=48 h,1I。中间电参数ICBo;和hFE,12.功率老炼1039 TA=250C VCE=10 V, Pt,,t=400 mW, t-……
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